| 品牌 | 昊量光電 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
光彈調(diào)制器
美國Hinds Instruments, Inc公司是世界有名的（同時(shí)也是世界*的一家）光彈調(diào)制器（photoelastic modulators）生產(chǎn)商。Hinds Instruments公司的PEM可以控制光束的偏振狀態(tài)的改變，調(diào)制速率為20~100kHz。（PEM）的作用就像一個(gè)“動(dòng)態(tài)的波片"，可以使快軸和慢軸之間產(chǎn)生一個(gè)周期變化的折射率差，從而控制透過光束的偏振進(jìn)行周期性的變化。具體而言即，（photoelastic modulators）通過對(duì)線偏振光添一定的相位使輸出光在圓偏振、橢圓偏振、線偏振等狀態(tài)之間井進(jìn)行變化，同時(shí)（PEM）還可以使光在左旋、右旋兩種狀態(tài)之間進(jìn)行切換。
對(duì)比聲光調(diào)制器、電光調(diào)制器、液晶調(diào)制器的*之處包括：
? 非常大通光孔徑（15到30mm，標(biāo)準(zhǔn)），同時(shí)保持很高的調(diào)制器頻率
? 超大接受角度（市場(chǎng)角）范圍（+/- 20°）
? 波長覆蓋范圍大（170nm~10um，F(xiàn)IR~THZ）
? 高損傷閾值
? 可精確控制相位延遲
美國Hinds Instruments, Inc公司PEM電學(xué)和光學(xué)頭封裝在不同的部件中。這樣能夠zui小化光學(xué)系統(tǒng)單元的尺寸，同樣也使得光學(xué)頭與磁場(chǎng)或真空兼容（當(dāng)這些有需要的時(shí)候）。
需要進(jìn)一步了解關(guān)于原理
應(yīng)用舉例：
在偏振方向調(diào)制中的應(yīng)用介紹.pdf
Hinds Instruments主要分為兩個(gè)系列：
Series I 系列使用矩形光學(xué)原件，波長覆蓋紫外、可見光和紅外至1或者2um。
Series II系列使用對(duì)稱或者八角形的光學(xué)原件，波長覆蓋可見和紅外（到中紅外）頻譜區(qū)域。特殊的型號(hào)可用于紫外。
Hinds Instruments公司的光學(xué)頭使用不同的光學(xué)材料，材料的選取主要取決于儀器頻譜透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。
TABLE 1 | ||
SPECTRAL REGION | SERIES | MATERIAL |
Vacuum UV, UV | I | Lithium Fluoride |
Vacuum UV to mid-IR | I,II | Calcium Fluoride |
Vacuum UV to near-IR | I,II | Fused Silica |
Mid-visible to mid-IR | II | Zinc Selenide |
Near- to mid-IR | II | Silicon |
相對(duì)于Series II八角形光學(xué)元件，Series I矩形的光學(xué)元件在相同厚度的情況下，相位延遲量更少。在紅外波段，這是一個(gè)缺點(diǎn)，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，這則變成為了一個(gè)很大優(yōu)點(diǎn)。
八角形（Series II）光學(xué)元件在給定的厚度下更加的有效率，因此在紅外波段有更多的優(yōu)勢(shì)。使用Series II操作低延遲量（例如：深紫外）或許會(huì)造成一些問題。
可選選項(xiàng)（規(guī)格和價(jià)格會(huì)因?yàn)榭蛻粜枰淖?，詳情詢問昊量光電的工程師?/span>
? 增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光學(xué)調(diào)制器上，窄帶寬和寬帶寬鍍膜都可得。
? 請(qǐng)昊量光電關(guān)于頻譜范圍和透射率要求
? 無干涉選項(xiàng)，Model NIO。這一項(xiàng)用于偏轉(zhuǎn)光束路徑，因此消除了調(diào)制器干涉
? 特殊頻率，Model SFO。標(biāo)準(zhǔn)的調(diào)制頭配以特殊頻率
? 特殊光學(xué)頭/電學(xué)頭電纜，Model SLHH
? 特殊調(diào)制頭附件，Model SHE。光學(xué)頭可以根據(jù)客戶需要提供特殊形狀
? 真空操作。PEM可用于真空環(huán)境，詳情請(qǐng)?jiān)儐朒inds
磁場(chǎng)兼容選項(xiàng)，Model MFC。光學(xué)頭不含任何磁鐵材料，用于強(qiáng)磁場(chǎng)中
基本指標(biāo)
Model | Optical Material | Nominal Frequency | Retardation Range | Useful Aperture1 | |
Quarter Wave | Half Wave | ||||
I/FS50 | Fused Silica | 50 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 16mm |
I/FS20 | Fused Silica | 20 KHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 22mm |
I/CF50 | Calcium Fluoride | 50 kHz | 130nm - 2μm | 130nm - 1μm | 16mm |
II/FS20A | Fused Silica | 20 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 56mm |
II/FS20B | Fused Silica | 20 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 56mm |
II/FS42A | Fused Silica | 42 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 27mm |
II/FS42B | Fused Silica | 42 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 27mm |
II/FS47A | Fused Silica | 47 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 24mm |
II/FS47B | Fused Silica | 47 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 24mm |
II/FS84 | Fused Silica | 84 kHz | 800nm - 2.5μm | 400nm - 2.5μm | 13mm |
II/IS42B | Fused Silica | 42 kHz | 1.6μm - 3.5μm | 800nm - 2.5μm | 27mm |
II/IS84 | Fused Silica | 84 kHz | 800nm - 3.5μm | 400nm - 1.8μm | 27mm |
II/CF57 | Calcium Fluoride | 57 kHz | 2μm - 8.5μm | 1μm - 5.5μm | 23mm |
II/ZS37 | Zinc Selenide | 37 kHz | 2μm - 18μm | 1μm - 9μm | 19mm |
II/ZS50 | Zinc Selenide | 50 kHz | 2μm - 18μm | 1μm - 10μm | 14mm |
II/SI40 | Silicon | 40 kHz | FIR - THz | FIR - THz | 36mm |
II/SI50 | Silicon | 50 KHz | FIR - THz | FIR - THz | 29mm |
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